MOIP1000P光隔離探頭是基于SigOFIT技術(shù)的光隔離探頭，擁有的共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號(hào)的全部真相，是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性。此外，SigOFIT光隔離探頭采用先進(jìn)的激光供電技術(shù)，解決了隔離供電的問題。

MOIP1000P光隔離探頭

真實(shí)的信號(hào)呈現(xiàn)

SigOFIT光隔離探頭具有的共模抑制比，在100MHz時(shí)CMRR高達(dá)128dB、在1GHz時(shí)CMRR仍然高達(dá)108dB，是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。

測(cè)試精度與穩(wěn)定性

作為判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性，測(cè)試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標(biāo)。麥科信光隔離探頭，具有較佳的幅頻特性，直流增益精度優(yōu)于1%，底噪小于0.45mVrms，預(yù)熱5min后零點(diǎn)漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。 

第三代半導(dǎo)體的理想測(cè)試手段

由于導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間很短，信號(hào)具有更快的上升沿和下降沿，信號(hào)中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT的MOIP1000P光隔離探頭在高帶寬時(shí)，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩，所呈現(xiàn)的信號(hào)沒有額外多余成分，是第三代半導(dǎo)體測(cè)試的理想選擇。

測(cè)試氮化鎵（GaN）不炸管

SigOFIT光隔離探頭測(cè)試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容小于2.5pF，測(cè)試氮化鎵（GaN）十分安全。

測(cè)試量程更寬

不同于高壓差分探頭只可以測(cè)試高壓信號(hào)，SigOFIT 光隔離探頭，通過匹配不同的衰減器，可以測(cè)試 ±1.25V 至 ±2500V 的差模信號(hào)，并實(shí)現(xiàn)滿量程輸出，達(dá)到很高的信噪比。10X / 20X / 50X / 500X / 1000X / 2000X

產(chǎn)品參數(shù)